机译:高迁移率Ge衬底上生长的稀土氧化物的栅堆叠介电降解
机译:高迁移率Ge衬底上生长的稀土氧化物的栅堆叠介电降解
机译:由于麦克斯韦-瓦格纳不稳定性和介电常数弛豫,在基于锗的金属氧化物半导体器件上生长的稀土氧化物-HfO_2栅堆叠中的电流不稳定性
机译:高迁移率Ge衬底上生长的栅堆叠(REO-HfO
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:高堆积稀土氧化物的栅堆电介质降解 mobility Ge substrates
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成